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| 雙層氮化硅減反射膜及其制備方法 |
| 來源：中國粉體技術網 更新時間：2014-02-20 13:42:17 瀏覽次數： |
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專利名稱：雙層氮化硅減反射膜及其制備方法
專利持有人：上海艾力克新能源有限公司
所屬行業：
內容摘要：本發明公開了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2 2～2 5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2 0～2 05。制備時，取拋光單晶硅片，設定沉積溫度、沉積... |
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發明人：戴熙明,陳博,武俊喜
申請人：上海艾力克新能源有限公司
申請號：CN201310060954.7
本發明公開了一種雙層氮化硅減反射膜及其制備方法。該雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構成，下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2.2～2.5，上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2.0～2.05。制備時，取拋光單晶硅片，設定沉積溫度、沉積壓強和沉積功率恒定，采用PEVCD工藝在硅片的行進方向上設定兩組先小后大的氨氣與硅烷的氣流量比參數和沉積時間，制得雙層氮化硅減反射膜。本發明通過現有資源、在不添加其它設備等材料情況下、在同一臺設備上通過兩個工藝步驟達到制成兩層相同質地但是不同性能參數的減反射膜、從而達到增加晶體硅表面鈍化效果、減少晶硅表面的太陽光反射效果、增加硅片對長短波的吸收、提高效率。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2014/0220/20140220015357211.pdf
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