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| 一種氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的方法 |
| 來源：中國粉體技術網 更新時間：2014-02-20 13:54:11 瀏覽次數： |
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專利名稱：一種氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的方法
專利持有人：武漢理工大學
所屬行業：
內容摘要：本發明是一種高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的制備方法，其原理為利用造孔劑和磷酸鹽粘結作用在較低溫度下形成高孔隙率的氮化硅多孔結構，在后續高溫燒制過程中利用納米硅粉的氮化原位生成氮化硅納米線，起到增強多孔陶瓷力學性能的作... |
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發明人：陳斐,王開宇,李飛宇,沈強,張聯盟
申請人：武漢理工大學
申請號：CN201310157262.4
本發明是一種高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷的制備方法，其原理為利用造孔劑和磷酸鹽粘結作用在較低溫度下形成高孔隙率的氮化硅多孔結構，在后續高溫燒制過程中利用納米硅粉的氮化原位生成氮化硅納米線，起到增強多孔陶瓷力學性能的作用；該方法包括以下步驟：（1）按質量計，采用納米硅粉5～40％、α-氮化硅陶瓷粉料30～50％、造孔劑5～40％、氧化物粉3～10％、液體磷酸5～20％為初始原料，以質量濃度99.7%乙醇為球磨介質混合均勻，得到混合粉料；（2）將混合粉料采用200MPa冷等靜壓處理，得到成型樣品；（3）將成型樣品在較低溫度下進行熱處理，熱處理溫度為200～700℃，保溫時間為1～10小時，使磷酸與氧化物反應形成起粘結作用的磷酸鹽，且造孔劑能夠充分排除形成高孔隙率的氮化硅多孔結構；（4）將熱處理后的產物放置在氣氛保護爐中，向爐中通入氮氣作為反應氣體，按1～10℃/分鐘升溫速率加熱至1000～1500℃后保溫1～24小時，使納米硅粉與氮氣反應生成氮化硅納米線；（5）隨爐冷卻至室溫；經過上述步驟，得到所述的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷。
本發明設備工藝簡單，操作方便，無環境污染，成本低廉，所制備的高孔隙率、高強度的氮化硅納米線增強氮化硅多孔陶瓷可廣泛應用于航空航天和高溫煙氣過濾等領域。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2014/0220/20140220015648364.pdf
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