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| 用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法 |
| 來源： 更新時間：2013-06-11 21:33:24 瀏覽次數： |
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專利名稱：用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法
專利持有人：山東大學
所屬行業：
內容摘要：發明人：胡小波，寧麗娜，李娟，王英民，徐現剛申請人：山東大學申請號：CN200810016665.6 本發明提供了一種用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步驟：(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)將所取Si粉和C粉混合均勻后放入坩堝中,... |
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發明人：胡小波，寧麗娜，李娟，王英民，徐現剛
申請人：山東大學
申請號：CN200810016665.6
本發明提供了一種用于半導體單晶生長的高純碳化硅粉的人工合成方法,包括以下步驟：(1)按摩爾比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)將所取Si粉和C粉混合均勻后放入坩堝中, 將坩堝置于中頻感應加熱爐中,對生長室抽真空,將溫度升高至1000℃；向生長室中充入高純氬氣、氦氣或者氬氣和氫氣的混合物,加熱至合成溫度1500℃,保持一定的反應時間后降至室溫；(3)將一次合成中所得產物粉末混合均勻,在1600℃到2000℃二次合成溫度,合成時間2小時-10小時,降至室溫即可得到適于半導體SiC單晶生長的高純SiC粉料。本發明采用二次合成法,不僅可以使初次合成時剩余的Si和C單質完全反應,且有效去除Si粉和C粉中攜帶的大部分雜質元素。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2013/0926/20130926090856505.pdf
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