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| 上海硅酸鹽所聯(lián)合半導體所在SiC-LED方面取得重要研究進(jìn)展 |
| 來(lái)源：中國粉體技術(shù)網(wǎng) 更新時(shí)間：2014-07-16 10:43:40 瀏覽次數： |
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 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所與半導體研究所通過(guò)聯(lián)合攻關(guān)，在SiC-LED技術(shù)路線(xiàn)方面中涉及的核心技術(shù)，如SiC單晶襯底、外延、芯片和燈具封裝等方面取得了突破性進(jìn)展，研制出了多種結構的SiC-LED，并封裝成了燈具，完全打通了SiC-LED技術(shù)路線(xiàn)，為SiC-LED技術(shù)在半導體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的推廣打下了基礎。
半導體照明是一種基于LED的新型光源的固態(tài)照明，被認為照明領(lǐng)域的第三次技術(shù)革命。襯底材料是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基礎，不同的襯底材料決定了LED外延生長(cháng)技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)。因此，襯底材料決定了半導體照明技術(shù)的發(fā)展路線(xiàn)，目前用于LED的襯底材料主要有藍寶石、碳化硅（SiC）、硅以及金屬襯底。以藍寶石為襯底的LED生產(chǎn)技術(shù)最成熟，在整個(gè)半導體照明產(chǎn)業(yè)中占主導地位，但是由于藍寶石材料特性限制了其在高光效、大功率LED方面的應用。SiC單晶襯底材料晶格常數和熱膨脹系數與GaN材料更為接近，晶格失配率僅為3.5％，加之良好的導電性能和導熱性能，能夠較好地解決高光效、大功率LED器件的散熱問(wèn)題。
目前美國Cree公司廣泛使用SiC襯底材料生產(chǎn)高光效、大功率LED，并在高端LED市場(chǎng)中占據著(zhù)主導地位。當前，中國還沒(méi)有企業(yè)采用SiC-LED技術(shù)路線(xiàn)，一方面原因是SiC襯底加工相比于藍寶石襯底昂貴，另一方面是SiC-LED核心技術(shù)主要被美國Cree掌握。上海硅酸鹽所是國內最早開(kāi)始研發(fā)SiC單晶材料的單位，經(jīng)過(guò)十余年的積累，攻克了大尺寸、高質(zhì)量SiC單晶襯底材料的一系列關(guān)鍵技術(shù)，在上海硅酸鹽所中試基地（高新技術(shù)企業(yè)）形成了批量生產(chǎn)SiC單晶襯底的生產(chǎn)線(xiàn)。依托國內最先進(jìn)的創(chuàng )新研發(fā)平臺，中科院半導體所的“中國科學(xué)院半導體照明研發(fā)中心”與上海硅酸鹽所的“碳化硅晶體項目部”發(fā)揮各自?xún)?yōu)勢，將繼續在SiC-LED技術(shù)方面進(jìn)行創(chuàng )新研究，為我國SiC產(chǎn)業(yè)和LED行業(yè)發(fā)展注入活力。
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