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        技術進展
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        聚碳硅烷粘結法低溫制備碳化硅多孔陶瓷
        來源:中國陶瓷    更新時間:2013-06-30 18:04:22    瀏覽次數:
         
                貴州師范大學黎陽等分別以平均粒徑為10mm和20mm的兩種規格碳化硅(SiC)粉末為原料、聚碳硅烷(PCS)為粘結劑,通過包混、過篩、模壓成型、1000℃熱解等工序制備了SiC多孔陶瓷,研究了PCS含量對SiC多孔陶瓷微觀形貌、線收縮率、孔隙率與抗彎強度的影響,并對兩種規格粉末制備的SiC多孔陶瓷性能進行了對比。結果表明:隨著PCS含量的增加,兩種規格粉末制備的SiC多孔陶瓷微觀形貌都逐漸變得致密,當PCS含量為13%時,兩種規格粉末制備的多孔陶瓷都出現了微觀裂紋。隨著PCS含量的增加,兩種規格粉末制備的SiC多孔陶瓷孔隙率都逐漸降低,線收縮率都逐漸增大,抗彎強度先增大后降低,在PCS含量為10%時,平均粒徑為10mm與20mm的SiC粉末制備的多孔陶瓷抗彎強度取得最大值,分別為31.6MPa與29.0MPa。


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