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單晶碳化硅磁流變拋光工藝實(shí)驗研究

來(lái)源：科技創(chuàng )新導報更新時(shí)間：2013-06-30 17:55:16 瀏覽次數：

西安工業(yè)大學(xué)王芳杰等針對傳統光學(xué)加工中碳化硅表面質(zhì)量精度低和難于加工的特點(diǎn),提出用磁流變直接加工碳化硅表面的工藝流程。采用自行研制的磁流變拋光機對Φ40×2mm的6H-SiC進(jìn)行了拋光實(shí)驗研究。結果表明,直徑為40mm的碳化硅材料圓柱體,硅面經(jīng)過(guò)20min的磁流變粗拋,表面粗糙度Ra提升至5.9nm,亞表面破壞層深度降至35.764nm,經(jīng)過(guò)磁流變精拋和超精拋,表面粗糙度最終提升至0.5nm,亞表面破壞層深度降至1.4893nm,表面變得非常平坦,無(wú)劃痕。由此表明,所采用的工藝流程可以實(shí)現碳化硅表面的納米級拋光和非常小的亞表面破壞層深度。

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