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        技術進展
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        碳化硅遇上石墨烯可以儲存更多能量
        來源:中國粉體技術網    更新時間:2017-05-31 09:00:03    瀏覽次數:
         
          通過在碳化硅的石墨烯的完美表面上引入缺陷,瑞典林雪平大學的研究人員增加了存儲電荷的材料的容量。這一結果增加了我們對如何使用這種超薄材料的了解。
          由石墨烯生產的最薄的材料由單層碳原子組成。它們形成一個原子厚度的雞絲結構,具有獨特的性質。比鋼高出約200倍,靈活性高。它是透明的,但氣體和液體不能通過它。此外,它是一個很好的導電體。關于如何使用這種納米材料有很多想法,對未來應用的研究很激烈。
          林雪平大學物理系,化學與生物學系科學與技術系首席研究工程師米哈伊爾·瓦金(Mikhail Vagin)說:“石墨烯是令人著迷的,但是學習難度很大。這也是導致難以理解石墨烯性質的因素之一就是所謂的“各向異性”材料。這意味著當在碳原子層的平面上測量時其性質不同于在邊緣測量的那些。此外,通過以幾種方式生產石墨烯在原子級的行為的嘗試是復雜的。具有許多邊緣的小薄片中的石墨烯的性質在幾個方面與產生的面積約1cm 2的片狀石墨烯的性質不同。   
         
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        碳化硅上的石墨烯
         
          進行研究的研究人員使用了在科林普林大學開發的方法在碳化硅晶體上制造的石墨烯。當碳化硅被加熱到2000℃時,表面上的硅原子移動到氣相,并且只剩下碳原子。由于石墨烯層的高質量及其先天惰性,石墨烯與其周圍環境不容易反應,而應用通常依賴于材料和周圍環境之間的受控相互作用,如氣體分子?,F場研究人員正在進行的討論是,是否可能激活平面上的石墨烯或是否需要邊緣。LiU研究人員調查了以受控方式引入表面缺陷時會發生什么,并以這種方式試圖更詳細地了解石墨烯的性質如何與其結構相關。
          Mikhail Vagin說:“被稱為”陽極氧化“的電化學過程會破壞石墨烯層,從而產生更多的邊緣。我們測量了陽極氧化石墨烯的性質,發現材料儲存電能的能力相當高。
          資料來源:中國材料網


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