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摻氧氮化硅發光二極管的發光特性研究
來源:激光與紅外 更新時間:2013-06-30 19:02:59 瀏覽次數:
韓山師范學院黃銳等采用等離子體增強化學氣相沉積方法低溫制備非晶氮化硅薄膜,在低溫下以氧氣為氣源,等離子體氧化非晶氮化硅薄膜,以這層薄作為有源層制備電致發光器件。實驗結果表明以此方法制備的器件在正向偏置電壓下可觀測到強烈的黃綠光,發光峰位于540nm,而且電致發光開啟電壓低,僅為6V,功耗小。光致發光譜和電致發光譜測量表明發光來自同一種發光中心,即與Si-O相關的發光中心。
本文所述技術未經本網核實,請用戶自行審核,本網不對其真實性負責。
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