<s id="usg7f"><big id="usg7f"></big></s>

        技術成果
        您當前的位置:首頁 > 功能粉體 > 氮化硅 > 技術成果
         
        摻氧氮化硅發光二極管的發光特性研究
        來源:激光與紅外    更新時間:2013-06-30 19:02:59    瀏覽次數:
         
                韓山師范學院黃銳等采用等離子體增強化學氣相沉積方法低溫制備非晶氮化硅薄膜,在低溫下以氧氣為氣源,等離子體氧化非晶氮化硅薄膜,以這層薄作為有源層制備電致發光器件。實驗結果表明以此方法制備的器件在正向偏置電壓下可觀測到強烈的黃綠光,發光峰位于540nm,而且電致發光開啟電壓低,僅為6V,功耗小。光致發光譜和電致發光譜測量表明發光來自同一種發光中心,即與Si-O相關的發光中心。


        本文所述技術未經本網核實,請用戶自行審核,本網不對其真實性負責。
         
        相關信息 更多>>
        反應燒結氮化硅-碳化硅復合材料的氮化機理2013-06-30
        二元混雜粒徑氮化硅填充硅橡膠的性能2013-06-30
        氮化硅對注凝成型熔融石英陶瓷性能影響的研究2013-06-30
        氮化硅-莫來石復合材料的制備2013-06-30
        剛玉-氮化硅-碳化硅復合材料的性能研究2013-06-30
        摻氧氮化硅發光二極管的發光特性研究2013-06-30
         
        我要評論
        功能粉體
        鈦白粉
        氧化鐵顏料
        珠光云母
        白炭黑
        炭黑
        氧化鋁
        粉煤灰
        金屬硅
        氧化鋅
        碳化硅
        氮化硅
        硅灰
        氫氧化鋁
        鐵粉
        鋁粉
        銅粉
        鋅粉
        納米粉體
        其他粉體技術
        查看全部
        自愉自愉自产国产91|性欧美VIDEOFREE护士动漫3D|无码办公室丝袜OL中文字幕|超频国产在线公开视频|亚洲国产人成自精在线尤物
        <s id="usg7f"><big id="usg7f"></big></s>