<s id="usg7f"><big id="usg7f"></big></s>

        技術成果
        您當前的位置:首頁 > 功能粉體 > 氮化硅 > 技術成果
         
        反應燒結氮化硅-碳化硅復合材料的氮化機理
        來源:硅酸鹽學報    更新時間:2013-06-30 18:38:59    瀏覽次數:
         
                北京科技大學李勇等為分析反應燒結氮化硅結合碳化硅(Si3N4-SiC)材料中微觀結構和氮化硅分布不均勻的原因,對在隔焰燃氣氮化梭式窯中應用反應燒結氮化方法制備的氮化硅結合碳化硅復合材料進行結構研究和熱力學分析。結果表明:材料中的氮化硅以纖維狀和柱狀兩種形狀存在。Si的氮化機理為:Si首先被氧化成氣態SiO,降低了體系的氧分壓,當氧分壓足夠低時,Si與N2直接反應形成柱狀Si3N4,氣態SiO亦可與N2反應生成氮化硅,這是一個氣-氣反應,故生成的Si3N4為纖維狀。氮化反應前SiO主要分布于材料孔隙和表面,因而生成的氮化硅分布不均勻,導致了反應燒結Si3N4-SiC材料結構的不均勻。


        本文所述技術未經本網核實,請用戶自行審核,本網不對其真實性負責。
         
        相關信息 更多>>
        反應燒結氮化硅-碳化硅復合材料的氮化機理2013-06-30
        二元混雜粒徑氮化硅填充硅橡膠的性能2013-06-30
        氮化硅對注凝成型熔融石英陶瓷性能影響的研究2013-06-30
        氮化硅-莫來石復合材料的制備2013-06-30
        剛玉-氮化硅-碳化硅復合材料的性能研究2013-06-30
         
        我要評論
        功能粉體
        鈦白粉
        氧化鐵顏料
        珠光云母
        白炭黑
        炭黑
        氧化鋁
        粉煤灰
        金屬硅
        氧化鋅
        碳化硅
        氮化硅
        硅灰
        氫氧化鋁
        鐵粉
        鋁粉
        銅粉
        鋅粉
        納米粉體
        其他粉體技術
        查看全部
        自愉自愉自产国产91|性欧美VIDEOFREE护士动漫3D|无码办公室丝袜OL中文字幕|超频国产在线公开视频|亚洲国产人成自精在线尤物
        <s id="usg7f"><big id="usg7f"></big></s>