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                        美國研究團隊開發出硅基芯片上光通信技術
                      
        
                      
        
                        來源：中國粉體技術網    更新時間：2017-11-23 09:29:41    瀏覽次數：
                      
        
                      
        
                        
        		
                      
        
                      
					  					  
        
                         
                      
        
                      
        
                        
        　　美國麻省理工學院發布消息稱，該校一個研究團隊開發出一種新材料，可集成在硅基芯片上進行光通信，從而比導線信號傳輸具有更高的速度和更低的能耗。
        
　　這種新材料為二碲化鉬，是近年來引人關注的二維過渡金屬硫化物的一種。這種超薄結構的半導體可以集成在硅基芯片上，并可以在電極作用下發射或接收光信號。傳統上，砷化鎵是良好的光電材料，但很難與硅基材料兼容。此外，傳統的光電材料發出的光信號在可見光頻段，易被硅材料吸收；而二碲化鉬可發射紅外光，不易被硅吸收，因此適合在芯片上進行光通信。
        
　　目前，這一技術處于概念驗證階段，距離實用還有一定距離。研究團隊還在關注其它可集成在硅基芯片上的超薄材料（如黑磷等）在光通信領域的應用。通過改變黑磷材料堆積的層數，可以調節其所發射光信號的波長，從而與目前主流的光通信技術兼容。
        


        
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						美國研究團隊開發出硅基芯片上光通信技術2017-11-23
					  
        
					                      
        		
                          
        
                        
        		
                      
        
					  
        
                         
                      
        
					  					  					  					  
        
                        
        
							
        
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