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        前端技術(shù)
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        美科學(xué)家首次以納米精度檢測太陽(yáng)能電池,有利于提高太陽(yáng)能光電轉化效率
        來(lái)源:中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間:2017-06-30 09:55:44    瀏覽次數:
         
          美國家技術(shù)標準研究院(NIST)近日發(fā)布消息聲稱(chēng),該機構研究人員利用兩種新技術(shù),首次以納米級精度檢測了廣泛使用的太陽(yáng)能電池的化學(xué)成分及缺陷的變化。新技術(shù)檢測了用碲化鎘半導體材料制造的常見(jiàn)太陽(yáng)能電池,有望幫助科學(xué)家更好地了解太陽(yáng)能電池的微觀(guān)結構,并可能提出進(jìn)一步提高太陽(yáng)能光電轉化效率的方法。
          在研究中,NIST科學(xué)家利用兩種依賴(lài)原子力顯微鏡(AFM)的輔助方法,通過(guò)光誘導共振(PTIR)來(lái)測量太陽(yáng)能電池樣品從可見(jiàn)光到中紅外線(xiàn)的寬波長(cháng)范圍吸收光的數量,從而在納米級尺度得到太陽(yáng)能電池的構成及其缺陷。另一項技術(shù),被稱(chēng)為掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微鏡(dt-NSOM),通過(guò)記錄特定位置傳輸光的數量來(lái)捕捉太陽(yáng)能電池的組成及缺陷的變化,從而形成詳細的納米尺度圖像。
          實(shí)驗表明,材料晶體排列的缺陷與其化學(xué)構成中的雜質(zhì)相關(guān),新技術(shù)能檢測碲化鎘樣品中所謂的深層次缺陷的空間變化。這些缺陷引起碲化鎘與其它半導體中的電子和質(zhì)子(帶正電荷的顆粒)重新組合而不是發(fā)電,這是導致太陽(yáng)能電池無(wú)法取得理論成效的阿關(guān)鍵原因之一。
          該研究成果具有廣泛適用性,將有助于太陽(yáng)能電池研究,更好地了解各種光伏材料。
          資料來(lái)源:科技部


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