我們的智能手機都含有一塊明亮的AMOLED（主動(dòng)矩陣有機發(fā)光二極體，ActiveMatrix／Organic Light Emitting Diode）顯示屏。這些顯示屏中的每個(gè)單像素后面都隱藏著(zhù)至少兩個(gè)硅晶體管，這種硅晶體管是基于激光退火技術(shù)大批量制造出的。
利用傳統方法制備這些材料通常需要1000℃的高溫，而激光技術(shù)利用較低的溫度便可達到相同的效果，甚至可以在塑料（熔點(diǎn)低于300℃）基底上制備。有趣的是，同樣的操作工藝也可應用在石墨烯材料的制備上。
利用高分辨透射電子顯微鏡可觀(guān)察到，經(jīng)過(guò)30納秒的激光脈沖，碳化硅（silicon carbide，SiC）基質(zhì)便會(huì )融化分解成碳單層和硅單層。如果施加更多的激光脈沖，碳單層會(huì )組成石墨烯結構而硅則汽化分離。
近日，韓國研究人員發(fā)現了利用激光誘導固相分離單晶碳化硅（SiC）的石墨烯合成機理?？茖W(xué)家利用高分辨率顯微鏡圖像和分子動(dòng)力學(xué)模擬發(fā)現，經(jīng)30納秒氯化氙準分子激光器的單脈沖照射熔化SiC時(shí)，可形成SiC液相層，其中上層為具有石墨晶疇的無(wú)序碳層（約2．5nm厚），下層為多晶硅層（約5nm）。隨著(zhù)脈沖強度增加，可引起硅的升華分離，而無(wú)序碳層將轉變?yōu)槎鄬邮?br />
該項研究表明：激光材料交互技術(shù)可成為下一代二維納米材料研究的強大工具。未來(lái)我們可利用激光誘導復雜化合物相分離，并以此合成新型的二維材料。
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