近日，英諾賽科（珠海）科技有限公司舉行8英寸硅基氮化鎵通線投產儀式。據悉，這是中國首條實現量產的8英寸硅基氮化鎵生產線。由于高溫環境下生長的氮化鎵薄膜冷卻時受熱錯配應力的驅動下，容易發生破裂或翹曲，成為硅基氮化鎵大英寸化的主要障礙，英諾賽科采取獨有技術解決了這一挑戰，將硅基氮化鎵晶圓尺寸推進到8英寸。
英諾賽科董事長駱薇薇表示：“經過2年的努力我們終于建成中國首條8英寸硅基氮化鎵外延與芯片生產線，并成功量產，添補了我國在這一領域的空白。這既是一個里程碑也是一個新的起點。公司將繼續在技術前沿上推進，把握行業發展趨勢，在應用領域上不斷開拓，在市場上與多方合作，將公司建成行業內最具影響力的企業。”
英諾賽科總經理孫在亨表示：“氮化鎵又被稱做寬禁帶半導體，是當今世界上最具潛力的半導體材料之一。中國是世界上最大的半導體產品市場，同時也是產業技術發展最迅速國家。氮化鎵產業將帶來巨大的創新發展機遇。”
英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發起創辦，從事寬禁帶半導體電力電子器件的研發與生產，一期項目位于珠海市國家級高新區，已完成投資10．9億元，建設8英寸增強型硅基氮化鎵外延與芯片大規模量產生產線。公司商業模式將采用IDM全產業鏈模式，打造集研發、設計、外延生長、芯片制造、測試于一體的生產平臺，主要產品包括100V－650V8英寸硅基氮化鎵外延片、100V－650V氮化鎵功率器件、氮化鎵集成電路。
硅氮化鎵技術能夠提高功率密度和能效，同時縮小器件尺寸，因此，非常適合用于電視機電源和D類音頻放大器等消費電子產品，服務器和電信設備中使用的SMPS。有報告稱，面向功率半導體的硅基板GaN技術市場，將以高達50％以上的年均復合增長率（CAGR）成長。到2023年，其市場容量將從2014年的1，500萬美元，增至8億美元。
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