申請號：CN201410511422

申請（專利權）人：浙江大學；

發明人：林時勝；章盛嬌；李曉強；吳志乾；

本發明涉及一種超薄碳化硅材料的制備方法，將硅源與碳源相距0-100cm放置于反應爐管內；以1℃/min-300℃/min的速率升溫至600℃－2300℃，反應爐管抽至真空度為10-5-105Pa，在保護氣氛下反應1-2880min；然后以1℃/min-500℃/min的速率冷卻至室溫，得到超薄碳化硅材料。本發明制備工藝簡單，制得的超薄碳化硅（5納米厚度以下）是一種具有寬禁帶并且能夠穩定存在的二維材料，它的誕生克服了石墨烯沒有禁帶和單層二硫化鉬不能穩定存在的缺點?？蓮V泛用于量子光源、光電、半導體原型器件、微電子電路、射頻器件、集成電路、光催化、海水淡化、納米能源、復合材料等技術領域。