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| 一種去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 |
| 來源：中國粉體技術網 更新時間：2013-09-22 09:15:34 瀏覽次數： |
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專利名稱：一種去除碳化硅基底上硅厚膜的方法
專利持有人：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
所屬行業：
內容摘要：本發明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法屬于薄膜沉積技術領域，該方法可以在不損傷碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理拋光法帶來的周期長、耗時多和容易改變碳化硅基底的鏡胚面形的技術風險問題，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具... |
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發明人：王彤彤,高勁松,王笑夷
申請人：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
申請號：CN201310066232.2
本發明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法屬于薄膜沉積技術領域，該方法包括如下步驟：步驟一：將濃度為50%的氫氧化鈉溶液與水按照體積比1：10配置成溶液，再用配好的氫氧化鈉溶液清潔鍍有硅厚膜的碳化硅基底10分鐘；步驟二：將濃度為68%的硝酸與水按照體積比1：3配置硝酸溶液，并用配好的硝酸溶液清潔鍍有硅厚膜的碳化硅基底5分鐘；步驟三：將濃度為68%的硝酸與濃度為40%的氫氟酸按照體積比5：1配制成硝酸和氫氟酸的混合溶液；步驟四：使用脫脂棉蘸取步驟三中配制好的硝酸和氫氟酸的混合溶液均勻涂于碳化硅基底的硅厚膜上，對硅厚膜進行腐蝕溶解；步驟五：待硅厚膜完全溶解后，使用脫脂棉蘸取碳酸鈣粉末擦拭碳化硅基底表面以去除殘余液體，然后用清水沖洗碳化硅基底表面直至清潔；步驟六：將碳化硅基底自然風干，然后檢查碳化硅基底上的硅厚膜是否徹底清除；步驟七：若碳化硅基底上的硅厚膜仍有殘余，則重復第四步至第六步的過程；若碳化硅基底上的硅厚膜已徹底清除，則繼續進行步驟八；步驟八：用脫脂棉蘸取氧化鈰粉末擦拭碳化硅基底表面10分鐘，然后用清水沖洗碳化硅基底表面直至清潔；步驟九：使用酒精超聲清洗碳化硅基底20分鐘，完全去除碳化硅基底上的硅厚膜。
本發明的有益效果是：該方法可以在不損傷碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理拋光法帶來的周期長、耗時多和容易改變碳化硅基底的鏡胚面形的技術風險問題，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具有很高的實用價值。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2013/0922/20130922091950666.pdf |
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