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                        北京大學率先研制成功10nm碳納米管CMOS器件
                      
        
                      
        
                        來源：中國粉體技術網    更新時間：2015-04-03 11:51:18    瀏覽次數：
                      
        
                      
        
                        
        		
                      
        
                      
					  					  
        
                         
                      
        
                      
        
                                近日，在北京市科委先導與優勢材料創新發展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在全世界范圍內首次成功研制出10納米碳納米管CMOS器件，與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5，并在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。
        
        課題的研究成果表明在10納米以下技術節點，碳納米管CMOS器件相對于硅基CMOS器件具有巨大優勢，這將大大增強研究機構和芯片公司對碳納米管電子學的信心，為2020年之后的集成電路技術的發展和選擇奠定重要基礎。
        
　　該團隊下一步將繼續優化相關制備工藝，期望最終能夠通過技術創新推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。
        

        
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