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| 摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法 |
| 來源：中國粉體技術網 更新時間：2014-01-15 21:46:48 瀏覽次數： |
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專利名稱：摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法
專利持有人：長春理工大學
所屬行業：
內容摘要：摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法屬于光電子材料技術領域?，F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好，會使晶體容易開裂，鉺摻入量受限，激光晶體熒光強度峰值不高；其生長周期較長，在晶體中存在更多的色心缺陷，生長溫度較高，銥金坩堝本身有揮發... |
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發明人：曾繁明,李春,林海,劉景和,谷亮,鄭東陽,苗東偉,李秦霖,楊曉東,梁璇,方旭光
申請人：長春理工大學
申請號：CN201310081614.2
摻鉺鐿鎵石榴石晶體及其生長方法屬于光電子材料技術領域?，F有摻鉺釔鋁石榴石晶體Er3+、Y3+離子半徑匹配不好，會使晶體容易開裂，鉺摻入量受限，激光晶體熒光強度峰值不高；其生長周期較長，在晶體中存在更多的色心缺陷，生長溫度較高，銥金坩堝本身有揮發，降低晶體質量。本發明之摻鉺鐿鎵石榴石晶體的晶體基質屬于立方晶系，鉺為激活元素，晶體基質為鐿鎵石榴石，晶體分子式為Er:Yb3Ga5O12；其生長方法包括生長料制備、晶體生長和退火三個步驟，制備生長料的原料有Er2O3；采用提拉法生長晶體；其特征在于，制備生長料的原料還有Yb2O3、Ga2O3；晶體生長的工藝參數確定為：提拉速度0.5～0.8mm/h，旋轉速度12～20rpm，生長溫度1740～1760℃，所生長的晶體為摻鉺鐿鎵石榴石晶體。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2014/0115/20140115094752269.pdf
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