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        技術進展
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        碳化硅納米晶須的制備及熱穩定性研究
        來源:浙江理工大學學報    更新時間:2013-06-30 18:20:38    瀏覽次數:
         
                浙江理工大學石強等以石墨粉和硅粉為原料,在1550℃下,采用碳熱還原法制得碳化硅納米晶須。X射線衍射(XRD)和場發射掃描電鏡(FE-SEM)表明,產物主要由3C-SiC納米晶須和顆粒組成,晶須直徑為100-150nm,長度為5-15mm。在空氣氣氛中的熱重分析(TGA)實驗顯示,溫度高于400℃時,產物質量逐漸增加,溫度至800℃時質量增加了約1%,增重現象為SiC納米晶須的氧化所致。產物經1100℃氧化后的XRD表明,SiC被部分氧化生成了無定形二氧化硅??諝鈿夥罩?產物在700、900、1100℃的熱穩定性實驗表明,在1100℃時,SiC納米晶須形貌發生了較大變化,其表面出現熔融并粘連在一起。高溫下的氧化反應是導致晶須形貌變化的主要原因。


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