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        產(chǎn)業(yè)新聞
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        25張圖直觀(guān)看懂從石英砂到芯片全過(guò)程!
        來(lái)源:中國粉體技術(shù)網(wǎng)    更新時(shí)間:2019-09-11 17:23:54    瀏覽次數:
         
          現代生活中,人們已被各種電子設備圍繞,手機、電腦、電視……那么,這些電子設備是靠什么運作的呢?
          答案就是芯片!簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),芯片之于電子設備的地位等同于發(fā)動(dòng)機之于汽車(chē),而制備芯片的原材料,就是最普通不過(guò)的石英砂。下面,我們就來(lái)看一看,石英砂是怎么變成芯片的?
          1.石英砂
          硅是地殼內第二豐富的元素,而脫氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,這也是半導體制造產(chǎn)業(yè)的基礎。

         
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          2.硅熔煉
          12英寸/300毫米晶圓級,通過(guò)多步凈化得到可用于半導體知道質(zhì)量的硅,學(xué)名電子級硅(EGS),平均每一百萬(wàn)個(gè)硅原子中最多只有一個(gè)雜質(zhì)原子。下圖展示的是如何通過(guò)硅凈化熔煉得到大晶體的,最后得到的就是硅錠(ingot)。


         
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          3.單晶硅錠
          整體基本呈圓柱形,重約100千克,硅純度 99.9999%。

         
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          4.硅錠切割
          橫向切割成圓形的單個(gè)硅片,也就是我們常說(shuō)的晶圓 (Wafer)。順便說(shuō),這下知道為什么晶圓都是圓形的了吧?

         
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          5.晶圓
          切割出的是晶圓經(jīng)過(guò)拋光后變得幾乎完美無(wú)瑕,表面甚至可以當鏡子。事實(shí)上,intel自己并不生產(chǎn)這種晶圓,而是從第三方半導體企業(yè)那里直接購買(mǎi)成品,然后利用直接的生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)一步加工,比如現在主流的45nm HKMG(高K金屬柵極)。值得一提的是,intel公司創(chuàng )立之初使用的晶圓尺寸只有2英寸/50毫米。

         
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          6.光刻膠(Photo Resist)
          下圖中藍色部分就是在晶圓旋轉過(guò)程中澆上去的光刻膠液體,類(lèi)似制作傳統膠片的那種。晶圓旋轉可以讓光刻膠鋪的非常薄、非常平。

         
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          光刻一:光刻膠層隨后透過(guò)掩模(Mask)被曝光在紫外線(xiàn)(UV)之下,變得可溶,期間發(fā)生的化學(xué)反應類(lèi)似按下機械相機快門(mén)那一刻膠片的變化。掩模上印著(zhù)預 先設計好的電路圖案,紫外線(xiàn)透過(guò)它照在光刻膠層上,就會(huì )形成微處理器的每一層電路圖案。一般來(lái)說(shuō),在晶圓上得到的電路圖案是掩模上圖案的四分之一。

         
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          光刻二:由此進(jìn)入納米尺寸的晶體管級別。一塊晶圓上可以切割出數百個(gè)處理器,不過(guò)從這里開(kāi)始把視野縮小到其中一個(gè)上,展示如何制作晶體管等部件。晶體管相當于開(kāi)關(guān),控制著(zhù)電流的方向?,F在的晶體管已經(jīng)如此之小,一個(gè)針頭上就能放下大約3000萬(wàn)個(gè)。

         
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          7.溶解光刻膠
          光刻過(guò)程中曝光在紫外線(xiàn)下的光刻膠被溶解掉,清除后留下的圖案和掩模上的一致。

         
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          8.蝕刻
          使用化學(xué)物質(zhì)溶解掉暴露出來(lái)的晶圓部分,而剩下的光刻膠保護著(zhù)不應該蝕刻的部分。

         
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          9.清除光刻膠
          蝕刻完成后,光刻膠的使命宣告完成,全部清除后就可以看到設計好的電路圖案。

         
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          10.光刻膠
          再次澆上光刻膠(藍色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻膠還是用來(lái)保護不會(huì )離子注入的那部分材料。

         
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          11.離子注入(ion implantation)
          在真空系統中,用經(jīng)過(guò)加速的,要摻雜的院子的離子照射(注入)固體材料,從而在被注入的區域形成特殊的注入層,并改變這些區域的硅的導電性。經(jīng)過(guò)電場(chǎng)加速后,注入的離子流的速度可以超過(guò)30萬(wàn)千米每小時(shí)。

         
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          12.清除光刻膠
          離子注入完成后,光刻膠也被清除,而注入區域(綠色部分)也已摻雜,注入了不同的原子。注意這時(shí)候的綠色和之前已經(jīng)有所不同。

         
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          13.晶體管就緒
          至此,晶體管已經(jīng)基本完成。在絕緣材(品紅色)上蝕刻出三個(gè)孔洞,并填充銅,以便和其它晶體管互連。

         
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          14.電鍍
          在晶圓上電鍍一層硫酸銅,將銅離子沉淀到晶體管上。銅離子會(huì )從正極走向負極。

         
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          15.銅層
          電鍍完成后,銅離子沉積在晶圓表面,形成一個(gè)薄薄的銅層。

         
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          16.拋光
          將多余的銅拋光掉,也就是磨光晶圓表面。

         
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          17.金屬層
          晶體管級別,留個(gè)晶體管的組合,大約500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層,具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來(lái)異常平滑,但事實(shí)上可能包含20多層復雜的電路,放大之后可以看到極其復雜的電路網(wǎng)絡(luò ),形如未來(lái)派的多層高速公路系統。

         
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          18.晶圓測試
          內核級別,大約10毫米/0.5英寸。圖中是晶圓的局部,正在接受第一次功能性測試,使用參考電路圖案和每一塊芯片進(jìn)行對比。

         
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          19.晶圓切片(Slicing)
          晶圓級別,300毫米/12英寸。將晶圓切割成塊,每一塊就是一個(gè)處理器的內核(Die)。

         
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          20.丟棄瑕疵內核
          晶圓級別。測試過(guò)程中發(fā)現的有瑕疵的內核被拋棄,留下完好的準備進(jìn)入下一步。

         
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          21.單個(gè)內核
          內核級別。從晶圓上切割下來(lái)的單個(gè)內核,這里展示的是Core i7的核心。

         
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          22.封裝
          封裝級別,20毫米/1英寸。襯底、內核、散熱片堆疊在一起,就形成了我們看到的處理器的樣子。襯底相當于一個(gè)底座,并為處理器內核提供電氣與機械界面,便于與PC系統的其它部分交互。散熱片就是負責內核散熱的了。

         
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          23.處理器
          至此就得到完整的處理器了(這里是一顆Core i7)。這種在世界上最干凈的房間里制造出來(lái)的最復雜的產(chǎn)品實(shí)際上是經(jīng)過(guò)數百個(gè)步驟得來(lái)的,這里只是展示了其中的一些關(guān)鍵步驟。

         
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          24.等級測試
          最后一次測試,可以鑒別出每一顆處理器的關(guān)鍵特性,比如最高頻率、功耗、發(fā)熱量等,并決定處理器的等級,比如適合做成最高端的Core i7-975 Extreme,還是低端型號Core i7-920。

         
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          25.裝箱
          根據等級測試結果將同樣級別的處理器放在一起裝運。制造、測試完畢的處理器要么批量交付給OEM廠(chǎng)商,要么放在包裝盒里進(jìn)入零售市場(chǎng)。

         
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