|
| |
| |
| 一種一維金紅石二氧化鈦納米棒陣列膜的制備方法 |
| 來源： 更新時間：2013-06-13 19:39:05 瀏覽次數： |
 |
專利名稱：一種一維金紅石二氧化鈦納米棒陣列膜的制備方法
專利持有人：
所屬行業：
內容摘要：發明人：林昌健;呂妙強;鄭大江申請人：廈門大學申請號：CN201110325519.3 一種一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法,涉及一種染料敏化太陽能電池光陽極材料。提供一種具有高比表面積、可有效提高染料敏化太陽能電池效率的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制... |
|
|
|
發明人：林昌健;呂妙強;鄭大江
申請人：廈門大學
申請號：CN201110325519.3
一種一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法,涉及一種染料敏化太陽能電池光陽極材料。提供一種具有高比表面積、可有效提高染料敏化太陽能電池效率的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜的制備方法。在導電玻璃上制備一層金紅石TiO2納米棒陣列膜,然后經化學刻蝕法制備高比表面積的TiO2納米棒陣列膜,再把高比表面積的TiO2納米棒陣列膜在馬弗爐中進行退火處理,即得到高比表面積的一維金紅石TiO2納米棒陣列膜光陽極材料,該陣列膜膜層厚度在1～13μm。用于光陽極在染料敏化電池中的效率高達5.75％。該方法具有操作簡單、操作時間短、制備過程成本低廉、對染料敏化太陽能電池性能提高明顯、易于實現工業化等優點。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2013/0916/20130916045336838.pdf
|
|
|
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
