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| 中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法 |
| 來(lái)源： 更新時(shí)間：2013-06-12 10:18:20 瀏覽次數： |
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專(zhuān)利名稱(chēng)：中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法
專(zhuān)利持有人：
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內容摘要：發(fā)明人：杜祖亮，吳新志，戴樹(shù)璽，張興堂申請人：河南大學(xué)申請號：CN200910065119.6 中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法,屬仿生合成領(lǐng)域。該法在無(wú)塵箱內進(jìn)行,包括兩個(gè)步驟：1)將聚β-苯甲基天門(mén)冬氨酸溶于揮發(fā)性溶劑中制成鋪展液,然后將鋪展液滴于去離... |
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發(fā)明人：杜祖亮，吳新志，戴樹(shù)璽，張興堂
申請人：河南大學(xué)
申請號：CN200910065119.6
中空碳酸鈣方解石晶體的制備方法,屬仿生合成領(lǐng)域。該法在無(wú)塵箱內進(jìn)行,包括兩個(gè)步驟：1)將聚β-苯甲基天門(mén)冬氨酸溶于揮發(fā)性溶劑中制成鋪展液,然后將鋪展液滴于去離子水亞相表面上,使聚β-苯甲基天門(mén)冬氨酸鋪展成單分子膜,保持一段時(shí)間以使溶劑揮發(fā),然 后開(kāi)始壓膜,目標表面壓為19～21mN/m,達到目標壓后將亞相表面的單分子層轉移到疏水基 片上；2)提膜后的基片干燥后斜插入濃度為4.9～5.1mM的碳酸氫鈣溶液中使晶體生長(cháng)20～28h, 晶體生長(cháng)溫度控制在25±1℃。產(chǎn)物經(jīng)X射線(xiàn)衍射分析確認為方解石晶體；掃描電鏡結果顯示晶體呈規則的碟狀且為中空結構。本發(fā)明對實(shí)驗設備和條件要求較低,可操作性強,可重復性好。
http://www.roanjohns.com/uploadfile/2013/0923/20130923090619337.pdf
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