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一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法

來(lái)源：更新時(shí)間：2013-06-11 21:23:07 瀏覽次數：

專(zhuān)利名稱(chēng)：一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法
專(zhuān)利持有人：合肥工業(yè)大學(xué)
所屬行業(yè)：
內容摘要：發(fā)明人：鄭治祥，姜坤申請人：合肥工業(yè)大學(xué)申請號：CN201210045285.1 本發(fā)明公開(kāi)了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法，是以水玻璃為硅源，常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠，向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉...

信息描述

發(fā)明人：鄭治祥，姜坤
申請人：合肥工業(yè)大學(xué)
申請號：CN201210045285.1
        本發(fā)明公開(kāi)了一種亞微米級單相氮化硅粉體的合成方法，是以水玻璃為硅源，常溫下將氯化銨溶液攪拌加入水玻璃溶液中制備得到硅酸凝膠，向硅酸凝膠中加水稀釋后抽慮以除去硅酸凝膠中的鈉離子，隨后加入炭黑，碳硅摩爾比為2-4.5∶1，混合均勻后干燥得到前驅體；將前驅體在氮氣氣氛中于1300-1450℃保溫3-10小時(shí)得到粗產(chǎn)品；將粗產(chǎn)品于650℃熱處理4-6小時(shí)得到亞微米級單相α-Si₃N₄粉體。本發(fā)明方法工藝流程簡(jiǎn)單，原料價(jià)格低廉；合成溫度比一般現有技術(shù)低，合成的氮化硅粉體較純凈，硅酸前驅體的疏松多孔性有利于高溫反應時(shí)N₂的自由通透，大大提高了氮化率，抑制了雜質(zhì)相SiC的產(chǎn)生。

http://www.roanjohns.com/uploadfile/2013/0926/20130926091310461.pdf

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