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硅粉常壓直接氮化制備氮化硅粉的研究

來(lái)源：硅酸鹽通報更新時(shí)間：2013-06-06 09:18:14 瀏覽次數：

北京科技大學(xué)尹少武等以平均粒徑為2.8 um 的硅粉為原料，添加氮化硅粉作為稀釋劑，對常壓氮氣下直接氮化制備Si₃N₄粉的工藝進(jìn)行了研究，分析了硅粉常壓直接氮化制備Si₃N₄粉過(guò)程中稀釋劑種類(lèi)、稀釋劑添加比例、氮化溫度、氮化時(shí)間等因素對硅的氮化過(guò)程的影響。通過(guò)一系列的探索，發(fā)現當添加30%的α- Si₃N₄粉作為稀釋劑、氮化溫度為1550℃、氮化時(shí)間為10min時(shí)，合成了氮含量為39.4%，游離硅為0.7%，主要為α相、含部分β相的Si₃N₄ 粉，實(shí)現了硅粉常壓高溫直接氮化工藝制備Si₃N₄粉。

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