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SnO2/硅灰石抗靜電材料的制備及性能 |
來源:硅酸鹽學報 更新時間:2013-06-17 14:43:12 瀏覽次數: |
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中國礦業大學(北京)賀洋等以硅灰石為原料,五水四氯化錫為沉淀包覆劑,采用化學沉淀法,制備了一種納米SnO2/硅灰石復合抗靜電粉體材料;采用比表面積儀、粒度儀、白度儀、掃描電子顯微鏡、X射線衍射儀、透射電子顯微鏡和紅外光譜儀對復合材料進行了表征,并探討了復合粉體的抗靜電機理。結果表明:硅灰石表面均勻地包覆了一層納米SnO2,比表面積由3.2m2/g提高到4.7m2/g,中位徑D50由7.62mm降低到7.01mm,電阻率從10.683kW·cm降到了2.533kW·cm。
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